RCD 的計(jì)算結(jié)果為何與實(shí)驗(yàn)參數(shù)出入很大

不時(shí)有網(wǎng)友提到 RCD 的計(jì)算問題,。有關(guān) RCD 的計(jì)算和實(shí)驗(yàn)的帖子在壇子里也很有人氣,。

其中老梁頭的關(guān)于反激RCD的實(shí)驗(yàn) 中的介紹很詳實(shí),，是很有價(jià)值的一手實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。讀過帖子之后,，給人感覺好像自己親手做了個(gè)實(shí)驗(yàn),，受益匪淺。然而,，帖子中計(jì)算的 RCD 數(shù)值和實(shí)驗(yàn)得到的參數(shù)并不一樣（老梁在帖子中的計(jì)算過程正確,、結(jié)果有誤）。相信很多網(wǎng)友都有這樣的體會(huì) - 就是計(jì)算出的電阻 Rsn 比實(shí)際實(shí)驗(yàn)得到的數(shù)值要小很多,。大家有沒有興趣討論一下 ~

（本圖摘自Fairchild AN-4147）?

下面介紹一下本人在實(shí)驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn)的 3個(gè)原因 ~

1. 漏感測(cè)量的誤差大 - 由于儀器和測(cè)試的問題導(dǎo)致漏感測(cè)量的誤差可以很大（尤其是體積小變壓器）,，通常是測(cè)得的漏感偏大,。導(dǎo)致計(jì)算結(jié)果的不準(zhǔn)確（電阻偏小）,。

2. RCD計(jì)算公式中忽略了二極管Dsn的正向?qū)ㄑ舆t時(shí)間和開關(guān)損耗,，假設(shè)所有漏感引起的功耗都消耗在了電阻 Rsn 上，使得計(jì)算出的電阻數(shù)值偏小,。

3. 計(jì)算公式忽略了漏感對(duì)?MOS管輸出電容 Coss 的充電,，而這一部分的能量是不能忽略不計(jì)的。

看到有網(wǎng)友不太清楚 Rsn 計(jì)算公式的推導(dǎo),，順便在這兒推導(dǎo)一下 ~

1. 當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),，初級(jí)電流達(dá)到了最大值 Ipeak。電壓Vds 迅速上升至A點(diǎn),，漏感 L_lk上的能量開始對(duì)Csn沖電,。
2. Csn上的電壓在整個(gè)過程中幾乎不變，其大小是Vsn,。
3. 由于此時(shí)次級(jí)的整流管已經(jīng)導(dǎo)通,，次級(jí)圈上的電壓被鉗制到輸出電壓 Vo。反射電壓 Vor (或者寫成 nVo) 在初級(jí)建立,。
4. 漏感對(duì) Csn 放電時(shí)，漏感上的電壓被鉗制到 Vsn - Vor,。
5. 漏感上的電流變化為