IGBT產(chǎn)業(yè)的未來在哪里,？
高速發(fā)展的新能源汽車產(chǎn)業(yè)帶來了汽車功率半導體的黃金時代,，據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，由傳統(tǒng)汽車到新能源汽車,，功率半導體的用量增長數(shù)倍,，單輛汽車ASP從71美元增長到387美元。
圖:新能源汽車和傳統(tǒng)汽車涉及的功率半導體比較（集邦咨詢整理）
電機控制系統(tǒng)是新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié),，電控系統(tǒng)的技術(shù)水平直接影響整車的性能和成本,。其中,，電控系統(tǒng)應(yīng)用的核心部件——IGBT擁有高輸入阻抗、高速開關(guān)和導通損耗低等特點,，在高壓系統(tǒng)中擔負著極其重要角色,。
據(jù)集邦咨詢了解，IGBT模塊作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,，成本占到新能源整車成本的10％,，占到充電樁成本的20％。未來新能源汽車將成為IGBT產(chǎn)業(yè)擴張的主要驅(qū)動力,。
集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,，2017年，我國IGBT市場規(guī)模為121億元,，2025年將達到522億元,，年復合增長率達19.9%。但我國IGBT起步較晚,，國內(nèi)市場份額主要被歐美,、日本企業(yè)壟斷，本土企業(yè)市場占比僅約為10%,，進口依賴程度較高,，國產(chǎn)替代空間巨大。
圖:2014-2025中國IGBT市場規(guī)模（數(shù)據(jù)來源：集邦咨詢）
車用IGBT市場由新能源汽車和充電樁兩個部分構(gòu)成,，下面本文將對兩個市場分別進行分析,。
新能源汽車市場
2012年國務(wù)院頒布了《關(guān)于印發(fā)節(jié)能與新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》后,，我國新能源汽車產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)爆發(fā)式增長,，據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù)顯示，我國新能源汽車的產(chǎn)量從2013年的1.7萬輛增長至2017年的78萬輛,，年復合增長率高達160.26%,。
2017年工信部印發(fā)《汽車產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展規(guī)劃》，提出到2020年我國新能源汽車產(chǎn)量達到200萬輛,，2025年達到700萬輛,。據(jù)此規(guī)劃發(fā)布的數(shù)據(jù)來看，從2017年到2025年,，新能源汽車產(chǎn)量年復合增長率達到16.95%,。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，截止2018年6月底,，2018年我國新能源汽車共生產(chǎn)40.89萬輛,，銷售41.05萬輛，全國新能源汽車保有量達到199萬輛,。
由于新能源汽車中IGBT約占其成本的10%,，我們預計到2025年,，中國新能源汽車所用IGBT模塊市場規(guī)模將達到210億元，8年間累計新增市場份額達900億元,。
新能源汽車產(chǎn)量的快速增長需要大量的IGBT模塊,，本土功率半導體企業(yè)、汽車企業(yè)在政策和資金的雙重支持下切入市場,，目前已取得一些成績,。
圖:中國切入車用市場的部分IGBT廠商（IDM模式）（集邦咨詢整理）
充電樁市場
2015年11月，工信部等四部委聯(lián)合印發(fā)《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南》通知,，明確到2020年,，新增集中式充換電站超過1.2萬座，分散式充電樁超過480萬個,，以滿足全國500萬輛電動汽車充電需求,。
據(jù)中國充電聯(lián)盟數(shù)據(jù)，截至今年7月底,，我國已建成充電樁約66.2萬個,，其中公共充電樁約27.5萬個，私人充電樁約38.7萬個,。按照規(guī)劃需新建的充電樁超過400萬個,，市場空間巨大。
IGBT模塊占到充電樁成本的20%左右,，我們預計到2025年,，充電樁所用IGBT的市場規(guī)模將達到100億元，8年間累計新增市場份額達300億,。
中國目前充電樁企業(yè)超過三百家,，但大多數(shù)企業(yè)產(chǎn)品市場認可度不高，top10企業(yè)占有大量市場并且市場份額在逐漸增大,，未來隨著行業(yè)洗牌,，大多數(shù)企業(yè)將會退出市場，為已占有優(yōu)勢的企業(yè)讓出市場,。
圖:截止2018年8月中國已運營充電樁設(shè)備top10企業(yè)（數(shù)據(jù)來源：中國汽車工業(yè)協(xié)會,，集邦咨詢整理）
機遇與挑戰(zhàn)并存
由前述可知，新能源汽車將成為我國IGBT產(chǎn)業(yè)未來8年主要的市場驅(qū)動,，未來8年累計市場空間超過千億,。市場空間巨大，但對于企業(yè)而言,，同樣面臨著機遇與挑戰(zhàn)并存的場面,。
機遇
1、目前八吋廠產(chǎn)能緊缺,，從上游晶圓到下游制造,、模塊,，產(chǎn)品均供不應(yīng)求，整個功率半導體產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷難得的產(chǎn)業(yè)景氣周期,，由于目前大型設(shè)備廠不再生產(chǎn)八吋設(shè)備,，導致八吋廠擴產(chǎn)難度增大，產(chǎn)業(yè)景氣度預計仍將持續(xù),。而作為功率半導體一個重要類品的IGBT產(chǎn)業(yè),，也將受益于產(chǎn)業(yè)景氣周期。
2,、IGBT技術(shù)革新正在減緩,，在第六代IGBT開發(fā)出來以后，IGBT產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢已經(jīng)幾乎被開發(fā)殆盡,，在技術(shù)上領(lǐng)先的國際廠商技術(shù)創(chuàng)新的速度將會有所減緩,，而國內(nèi)廠商則迎來寶貴的追趕時間。
挑戰(zhàn)
1,、目前國際主要的IGBT廠商采用的均為IDM模式,，IDM企業(yè)注重技術(shù)積累，具有領(lǐng)先優(yōu)勢的企業(yè)會不斷提高技術(shù)門檻,，加大后來者追趕的難度,。
2、SiC MOSFET有著比Si基IGBT更快的開關(guān)速度,、更高的電流密度和更低的導通電阻,，能耗較后者有較大降低空間，目前囿于成本較高尚未大規(guī)模商用,，但不排除未來有一天成本下降到可接受的范圍后,，逐漸搶占IGBT的市場。(本文在預測未來八年IGBT市場規(guī)模的過程中,，已經(jīng)將此因素考慮在內(nèi),。)
