開關(guān)電源設(shè)計核心環(huán)節(jié)：如何避免米勒振蕩?

米勒振蕩是因為強的負(fù)反饋引起的開關(guān)振蕩,，導(dǎo)致二次導(dǎo)通，對于后級大功率半橋、全橋等H橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用中,，容易導(dǎo)致上下管子瞬間導(dǎo)通從而炸毀管子,，這個是開關(guān)電源設(shè)計中最核心的一環(huán),，所以如何避免米勒振蕩可以認(rèn)為是開關(guān)電源設(shè)計的核心關(guān)鍵,。
一、減緩驅(qū)動強度

1,、提高MOS管G極的輸入串聯(lián)電阻,，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率,，阻值越大,，開關(guān)速度越緩。
2,、在MOS管GS之間并聯(lián)瓷片電容,，一般容量在1nF~10nF附近,?？磳嶋H需求。
調(diào)節(jié)電阻電容值,，提高電阻和電容,，降低充放電時間，減緩開關(guān)的邊沿速度,，這個方式特別適合于硬開關(guān)電路,，消除硬開關(guān)引起的振蕩。
二,、加強關(guān)閉能力
1,、差異化充放電速度，采用二極管加速放電速度,；

2,、當(dāng)?shù)谝环N方案不足時，關(guān)閉時直接把GS短路,；

3,、當(dāng)?shù)诙N方案不足時，引入負(fù)壓確保關(guān)斷,。

三,、增加DS電容
在ZVS軟開關(guān)電路中，比如UC3875移相電路中,，MOS管DS之間,，往往并聯(lián)無感CBB小電容,，一般容量在10nF以內(nèi)，不能太大,，有利于米勒振蕩,，注意該電容的發(fā)熱量，頻率更高的時候,，需要用云母電容,。

四、提高漏極電感方式
相對應(yīng)方案C的提高DS電容方式,，該方案則采用提高漏極的電感方式：
1,、在漏極串聯(lián)鎳鋅磁珠，提高漏極電感,，減緩漏極的電流變化,，降低米勒振蕩，這個方案也是改善EMC的方法之一,，效果比較明顯,，但該方案不適合高頻率強電流的場合，否則該磁珠就發(fā)熱太高而失效,。
2,、PCB布線時，人為的引入布線電感,，增長MOS管漏極,、源極的PCB布線長度，比如方案C的圖中,，適當(dāng)提高半橋上下MOS管之間的引線,，對改善米勒振蕩有很大的影響，但這個需要自身的技術(shù)水平較高,，否則容易失敗,，此外布線長度提高，需要相應(yīng)的考慮MOS管的耐壓,，嚴(yán)重的,，需要加MOS管吸收電路。
五,、常用的MOS管吸收電路
利于保護MOS管因關(guān)閉時產(chǎn)生過高的電壓導(dǎo)致DS擊穿,，對米勒振蕩也有幫助，電路形式多樣,，以下列舉四種,，應(yīng)用場合不同，采用不同的方式。