開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)核心環(huán)節(jié)：如何避免米勒振蕩?

米勒振蕩是因?yàn)閺?qiáng)的負(fù)反饋引起的開(kāi)關(guān)振蕩,，導(dǎo)致二次導(dǎo)通,，對(duì)于后級(jí)大功率半橋、全橋等H橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用中,，容易導(dǎo)致上下管子瞬間導(dǎo)通從而炸毀管子，這個(gè)是開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中最核心的一環(huán),，所以如何避免米勒振蕩可以認(rèn)為是開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心關(guān)鍵,。
一、減緩驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度

1,、提高M(jìn)OS管G極的輸入串聯(lián)電阻,，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大,，開(kāi)關(guān)速度越緩,。
2、在MOS管GS之間并聯(lián)瓷片電容,，一般容量在1nF~10nF附近,。看實(shí)際需求,。
調(diào)節(jié)電阻電容值,，提高電阻和電容，降低充放電時(shí)間,，減緩開(kāi)關(guān)的邊沿速度,，這個(gè)方式特別適合于硬開(kāi)關(guān)電路，消除硬開(kāi)關(guān)引起的振蕩,。
二,、加強(qiáng)關(guān)閉能力
1、差異化充放電速度,，采用二極管加速放電速度,；

2、當(dāng)?shù)谝环N方案不足時(shí),，關(guān)閉時(shí)直接把GS短路,；

3、當(dāng)?shù)诙N方案不足時(shí),，引入負(fù)壓確保關(guān)斷,。

三、增加DS電容
在ZVS軟開(kāi)關(guān)電路中,，比如UC3875移相電路中,，MOS管DS之間，往往并聯(lián)無(wú)感CBB小電容,，一般容量在10nF以內(nèi),，不能太大，有利于米勒振蕩,，注意該電容的發(fā)熱量,，頻率更高的時(shí)候，需要用云母電容,。

四,、提高漏極電感方式
相對(duì)應(yīng)方案C的提高DS電容方式，該方案則采用提高漏極的電感方式：
1,、在漏極串聯(lián)鎳鋅磁珠,，提高漏極電感,，減緩漏極的電流變化，降低米勒振蕩,，這個(gè)方案也是改善EMC的方法之一,，效果比較明顯，但該方案不適合高頻率強(qiáng)電流的場(chǎng)合,，否則該磁珠就發(fā)熱太高而失效,。
2、PCB布線時(shí),，人為的引入布線電感,，增長(zhǎng)MOS管漏極、源極的PCB布線長(zhǎng)度,，比如方案C的圖中,，適當(dāng)提高半橋上下MOS管之間的引線，對(duì)改善米勒振蕩有很大的影響,，但這個(gè)需要自身的技術(shù)水平較高,，否則容易失敗，此外布線長(zhǎng)度提高,，需要相應(yīng)的考慮MOS管的耐壓,，嚴(yán)重的，需要加MOS管吸收電路,。
五,、常用的MOS管吸收電路
利于保護(hù)MOS管因關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生過(guò)高的電壓導(dǎo)致DS擊穿，對(duì)米勒振蕩也有幫助,，電路形式多樣,，以下列舉四種，應(yīng)用場(chǎng)合不同,，采用不同的方式,。